Samsung, ecco le prime DRAM DDR4 a 10nm di terza generazione

Dopo le memorie HBM2E FlashBolt presentate ieri, Samsung Electronics annuncia oggi di aver realizzato il primo chip DRAM DDR4 da 8Gb con processo produttivo a 10 nanometri di terza generazione (1z-nm). Stando alla nota dell’azienda, il nuovo nodo 1z-nm sarà il più piccolo utilizzato per produrre chip DRAM DDR4, permettendo di soddisfare l’attuale richiesta del mercato con un prodotto che offrirà una resa produttiva il 20% superiore rispetto alla precedente generazione (1x-nm) presentata solo 16 mesi fa. | Samsung: avviata la produzione delle RAM DDR4 a 10nm di seconda generazione.

A proposito del nuovo annuncio, Jung-bae Lee, vice presidente esecutivo di DRAM product & technology Samsung Electronics, dichiara:


Il nostro impegno a superare le più grandi sfide della tecnologia ci ha sempre spinto verso una maggiore innovazione. Siamo lieti di aver gettato di nuovo le basi per una produzione di DRAM di nuova generazione che garantisca le massime prestazioni e l’efficienza energetica. Man mano che sviluppiamo la nostra gamma DRAM da 1-nm, Samsung punta a supportare i suoi clienti globali nello sviluppo di sistemi all’avanguardia e nella diffusione del mercato delle memorie premium.


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Source: Hardware

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