SK Hynix annuncia nuove memorie DDR4 da 8Gb e 3200 Mbps

SK Hynix ha presentato nuove memorie DRAM DDR4 da 8Gb costruite con processo produttivo a 1Ynm, caratteristica quest'ultima che ha permesso all'azienda di migliorare nettamente l'efficienza energetica rispetto alla precedente generazione. Stando ai dati forniti dal produttore, le DDR4 da 8Gb prodotte a 1Ynm (ossia con un processo produttivo tra 14 e 16nm) consumano il 15% in meno rispetto ai chip DDR4 costruite con processo 1Xnm (16/19nm), migliorando allo stesso tempo la produttività del 20%.

Le DDR4 SK Hynix 8Gb 1Ynm offrono poi una velocità di trasferimento dati fino a 3200 Mbps, garantendo al tempo stesso una migliore efficienza e stabilità del segnale di clock grazie a un nuovo metodo che prevede uno schema di clock a 4 fasi. Un'ulteriore novità sotto il profilo della stabilità e dell'efficienza energetica è costituita dalla tecnologia Sense Amp. Control, affiancata tra l'altro da una rivisitazione della struttura dei transistor.

Queste le parole di Sean Kim, vice presidente del marketing DRAM per SK Hynix:


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Source: Hardware
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