Samsung: avviata la produzione delle RAM DDR4 a 10nm di seconda generazione

Samsung Electronics ha annunciato di aver avviato la produzione di massa della seconda generazione di memorie RAM DDR4 DRAM da 8-gigabit (GB) di classe 10 nanometri.

Secondo le informazioni rilasciate direttamente dall'azienda coreana in un comunicato ufficiale, Samsung è riuscita a migliorare ulteriormente le prestazioni e l'efficienza energetica riducendo anche le dimensioni dei chip. Scendendo nei particolare, la DDR4 da 8Gb a 10 nm di seconda generazione offre un guadagno della produttività del +30% circa rispetto alla medesima variante di prima generazione.

Notevole il miglioramento sotto il profilo prestazionale e di efficienza che segna rispettivamente un +10 e +15% grazie all'utilizzo di una nuova tecnologia proprietaria di progettazione dei circuiti. A differenza delle memoria di prima generazione, la nuova DDR4 può funzionare a 3600 megabit al secondo (Mbps) per pin. La serie precedente si ferma a 3200 Mbps.


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Source: Hardware
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