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27/04/2018

Samsung annuncia nuove memorie V-NAND da 1 Terabit


Attraverso un comunicato ufficiale, Samsung annuncia una nuova generazione di memorie V-NAND, pensata per venire incontro all'elevata richiesta di chip ad alte prestazioni ed elevata capacità, soprattutto in settori in continua crescita come l'AI e l'Internet Of Things.

Sono passati 4 anni dai primi esemplari di memorie NAND 3D, un arco di tempo che ha permesso all'azienda di ottimizzare al meglio la propria tecnologia per approdare appunto ai nuovi chip V-NAND con capacità di 1 Terabit.

Le memorie arriveranno sul mercato il prossimo anno e, grazie alle loro caratteristiche, permetteranno di fornire una capacità di storage pari a 2TB su singolo package (utilizzando quindi 16 die da 1 Terabit). Un netto passo in avanti quindi per l'azienda sudcoreana, da sempre leader in questo settore.


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Source: Hardware

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