Samsung, V-NAND di quinta generazione per gli SSD che verranno

Samsung ha annunciato ufficialmente l'inizio della produzione di massa di una nuova generazione di memorie V-NAND che verranno utilizzate per equipaggiare gli SSD del futuro. Ovviamente l'azienda coreana dichiara di avere tra le mani i chip di memoria V-NAND con le più alte velocità di trasferimento dati ad oggi disponibili.

Si tratta del primo caso di implementazione della nuova interfaccia "Toggle DDR 4.0" che dovrebbe permettere una velocità di trasferimento dati sulle nuove memorie V-NAND da 256Gb alla velocità di 1.4Gbps, con un incremento rispetto alla precedente generazione quantificato in un significativo 40%.

L'efficienza energetica delle nuove memorie V-NAND è rimasta praticamente invariata rispetto ai chip a 64 livelli. Il merito è anzitutto del voltaggio richiesto che è stato abbassato passando da 1.8V a 1.2V. Le nuove memorie V-NAND sono anche caratterizzate da velocità di scrittura superiori, con un miglioramento del 30% circa rispetto alla precedente generazione e una risposta ai segnali di lettura ridotta di circa 50 microsecondi.


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Source: Hardware
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